安世半导体

此外。应用包含的AOI（自动光学检测）及数字化转型，如数据驱动的决策、AI和机器学习，包含数字分身 (Digital Twin)以及结合生成式 AI 和预测性 AI 的企业ChatGPT平台。
安世半导体ISM330BX的自主功能可以降低IMU单元和主机系统之间的数据传输量，并减轻主处理器的运算工作量，确保低延迟和低功耗。集成的模拟集线器可以把外部模拟传感器直连到边缘处理引擎，进行数据过滤和 AI 推理，为高能效的系统集成提供了更多机会。
“美光的第七代NAND有176层，第八代NAND增加到了232层，而此次发布的第九代NAND达到了276层。但随着层数的增加，层数对NAND性能的重要性会降低。”他表示，美光正在研究多项前沿技术，并预计NAND层数将继续增加，但如何降低能耗、提高性能和芯片密度，比单纯的层数要求更为重要。

推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管— TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。
此外，对电流检测放大器、保护功能和逆变器级的集成进一步缩减了解决方案的尺寸和成本，从而可协助工程师开发更小巧的电机驱动器系统。
　　Bourns 2027-A 系列提供 75 V – 600 V 的击穿电压，具备高浪涌电流额定值和卓越的绝缘电阻，同时其工作温度范围宽广，从 -40 °C 到 +125 °C，确保在极端温度环境下的优异表现。凭借其强大的浪涌承受能力，Bourns 的 GDT 能够有效抵御高能量瞬态，保护敏感电子设备免受损害。这些新组件设计上注重耐用性，确保在设备使用生命周期内保持稳定的性能，从而显著降低维护和更换成本。
　　智能制造应用产品系列：凌华智能的AI 边缘服务器 MEC-AI7400 (AI Edge Server )专为智能制造设计，驱动AI革新数字转型，提升生产灵活性和应变能力。
　　HT32F53231/HT32F53241/HT32F53242/HT32F53252操作电压为2.5V~5.5V，操作温度范围提升至-40℃~105℃工业温度范围，指令周期可达60MHz，Flash容量为128KB，SRAM容量达16KB，搭载6通道PDMA，支持独立VDDIO管脚，可连接与MCU VDD电压不同的组件。

　　Google 为 Pro、Pro XL 和 Fold 使用了名为“Super Actua”的新型 OLED 显示屏，这三款手机的亮度都比上一代机型高。Pixel 9 Pro Fold 比 Pixel Fold 亮 80%。Google 还使用了康宁大猩猩玻璃 Victus 2。
安世半导体　　新的VELVET SOUND技术提高了产品电气性能和稳定性，相比上一代AK4490和AK4493，以更低的功耗实现了丰富的“信息量”和“跃动感”。
另外，因其像元尺寸相对较小，Teledyne DALSA 的技术使该款产品在使用 4k/7 μm 镜头和照明时无需牺牲响应度和 MTF。此相机兼容标准 M-42 镜头，显著节省系统总成本。
　　理论上，NAND芯片的堆叠层数越多，其输入输出效率越高、读写速度越快、功耗越低，在相同容量情况下物理空间占用越小。在美光公司媒体交流会上，美光存储事业部 NAND 产品生命周期管理及应用工程总监Daniel Loughmiller回应了记者对堆叠层数的关注.