diodes半导体

这次我们实现了“LSCND1006HKT2R2MF”的商品化，将本公司传统产品“LSCNB1608HKT2R2MD”（1.6×0.8×0.8mm）的体积减少约 5 成，同时直流叠加允许电流值确保为 0.8A，直流电阻也为 375mΩ，实现了低电阻。
diodes半导体　　BHDFN-9-1（底部散热器 DFN）是一种底部冷却式组件，同样采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。其热阻为0.28 K/W，比肩或优于其他领先设备。BHDFN的外形尺寸为10×10 mm，虽然比常用的 TOLL 封装更小，但具有相似封装布局，因此也可以使用 TOLL 封装的 GaN 功率 IC 进行通用布局，便于使用和评估。
　　三星Galaxy Ring作为今年全新推出且备受瞩目的健康向穿戴设备，采用了环形曲线设计的钛金属边框，具备超轻量化机身、10ATM防水等级以及可达7天的持久续航能力。基于三星多年来在智能穿戴领域的积极探索，三星Galaxy Ring能以超乎想象的小巧形态，为用户带来从心率警示、睡眠追踪到日常活动在内的全天候多元健康体验。

　　英特尔研究员兼 I/O 架构师 Debendra Das Sharma 表示：“英特尔很高兴看到美光携美光 9550 NVMe SSD 进入 PCIe 5.0 市场。这款 PCIe 5.0 SSD 与英特尔的 PCIe 5.0 处理器平台，特别是第四代英特尔 至强、第五代英特尔 至强 和英特尔 至强 6 处理器，实现了良好的兼容。
　　为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。
diodes半导体　　OCP9225AH采用低Ron内部FET，工作范围为3V_DC至28V_DC，导通时Ron仅为18mΩ，很大的降低功率损耗。内部钳位器能够分流±100V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。
　　MPPS电源非常符合军用标准，包括 MIL-STD-1399-300B、461F和810G。这种先进的设备为海军舰艇上常见的不平衡三相负载挑战提供了解决方案。MPPS符合MIL-STD-1399-300B标准，将船舶的相电流平衡保持在±5%以内，潜艇的相电流平衡保持在±3%以内，同时提供严格调节的直流电源。
　　为了提升可靠性，MX-DaSH线对线连接器采用了行业领先的高稳定性刀片形公端接点和独立的辅助锁，从而实现了坚固可靠的端子配接。此外，MX-DaSH还通过在线对板连接器中提供模块化区段结构或插装盒的方式，在不改变外形尺寸的情况下支持各种接口，使汽车工程师能够适应不断增长的设备和传感器组合，满足不同网络要求。

　　日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
diodes半导体　　该变压器具有通孔端子和多种封装尺寸，广泛应用于开关模式电源以及DC/DC和AC/DC转换器。这些变压器专为恶劣环境而设计，采用具有模制绕组的坚固封装设计，以及高达130 °C的工作温度，并且通过了MIL-STD-981。SGTPL-2516系列变压器的工作频率为80 kHz至300 kHz，高介电耐受电压为1500 VAC，功率为150 W，漏感为0.5 mH。
　SC77708Q 可复用为多通道高边开关驱动，减少外部器件数量。充当高边开关时，SC77708Q 支持可灵活配置的软启动方式，提前设置高边打开时间，在容性负载引发的大电流触发短路保护后，系统可自动通过预设的时间打开高边，并通过电路的状态关断高边。
作为TrustFLEX平台的一部分，这些器件已进行了部分配置，并配备Microchip签名的Soteria-G3固件，从而缩短了集成平台信任根所需的开发时间。这些器件还有助于快速跟踪所需的加密资产和签名固件映像，简化美国国家标准与技术研究院（NIST）和开放计算项目（OCP）标准所要求的安全制造流程。