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  通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺,新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm),薄如指甲,超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外,三星优化了背面研磨工艺[3],进一步压缩了封装厚度。
亚德诺代理商  随着包括汽车业在内的主要充电器制造商致力于实施Qi v2.0(Qi2)标准,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)发布了一款 Qi 2.0双板无线电源发射器参考设计。该Qi2参考设计采用单个dsPIC33数字信号控制器(DSC),可提供高效控制以优化性能。无线充电联盟(WPC)近发布了新版Qi2标准,其主要特点是引入了磁功率协议(MPP),支持发射器和接收器之间磁吸对准。DSC软件架构灵活,可通过一个控制器支持Qi 2.0的MPP和扩展功率协议(EPP)两种配置。
它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压,即便在重复短路的情况下也具备出色的性能,并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管,可提高效率、密度和可靠性,使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器,和三相维也纳整流器中的背对背开关时,该系列器件能够优化性能,而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。
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  Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种先进高科技设备。随着SiHR080N60E的推出,以及其他第四代600 V E系列器件的发布,Vishay可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度两方面的要求—包括功率因数校正(PFC)和后面的DC/DC转换器砖式电源。
相比背对背硅FET,使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% – 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗,以及减少成本。
亚德诺代理商  电动汽车(xEV)市场的扩大带来了电气化、零部件集成化、电子控制单元(ECU)小型化和低噪音电机等市场需求。为了满足此需求,新产品通过将微控制器集成到栅极驱动IC中,助力缩小ECU器件尺寸,并通过使用矢量控制使电机更安静。
  TimeProvider 4500主时钟支持超大容量的精密时间协议 (PTP)任务。创新的硬件平台可为数千个客户端提供更高的IEEE-1588可扩展性。在需要平衡范围和容量的网络位置,即在C波段5G部署中,能够通过单个主时钟为数千个gNodeB提供服务至关重要。根据具体地点的不同,主时钟可以为极少数或大量的gNodeB基站提供服务。无论规模大小,运营商都能实现经济高效的灵活部署。
  同时,新产品还采用了可配合曝光布局自由选择玻璃基板纵横方向的 universe chuck,首次实现可应对车载显示器多样化布局需求。佳能表示,MPAsp-E1003H 通过强化上述制造工序的工艺应对能力,制造质量更加稳定。
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Hypervisor-on-Modules特别适用于必须满足实时和安全要求的整合系统,包括通过英特尔时间协调计算(Intel TCC)和时间敏感网络(TSN) 进行的实时集成。康佳特的新模块完全支持此功能。
亚德诺代理商目前,英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8×8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列,扩展其 CoolSiC MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC 第2代(G2)技术,在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升,专门用于中开关模式电源(SMPS),如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。
PWM调光支持高辉应用,支持1K以上的PWM调光频率,分辨率超过1000:1,芯片设计数转模调制功能,调光全程无频闪。当PWM拉低到GND超过40ms芯片自动进入休眠模式以降低功耗,此时待机电流<2uA,当PWM端口拉高以后芯片重新启动。PWM管脚不能悬空,不使用PWM调光应用时应接入高电平保证开机正常工作状态。VDD端口可以为外围的PWM控制芯片供电。   常规的家用物联网摄像头只能在检测到运动或特定事件发生时才会启动录像或通知用户,因此无法满足用户随时了解家中情况的安全需求。

分类: 恩智浦芯片