罗姆

　　GM12071是一款CMOS、低压差（LDO）线性稳压器，采用 1.9V 至 20V 电源供电，输出电流为500 mA。这款高输入电压 LDO 适用于调节 1.2V至20V 供电的高性能模拟和混合信号电路。该稳压器采用先进的专有架构，在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流，仅需一个 2.2μF 小型陶瓷输出电容，便可实现出色的线路与负载瞬态响应性能。GM12071稳压器输出噪声为 8.5μVRMS，与固定输出电压选项无关。
罗姆　　步进衰减器专为6 GHz、8 GHz和18 GHz频率的卓越射频性能而设计。它们的衰减水平有10、60、70和99 dB，衰减步长为1 dB和10 dB，具体取决于型号。
因此，太阳诱电使用具有高直流叠加特性的金属磁性材料，致力于扩充具有小型化、薄型化优势的多层型金属功率电感器 MCOILLSCN 系列的产品阵容。

　　近日，识光发布高集成度大面阵 SPAD-SoC SQ100，真正实现灵活分区的 2D 可寻址 SPAD-SoC。SQ100 面向 ADAS 前装量产、L4/5 自动驾驶、机器人、工业自动化等应用，一块芯片即可覆盖短、中、长距的探测需求，适配多种扫描方式。SQ100 具备高灵活性和延展性，可以满足不同应用场景下对像素分辨率、测距量程和精度的要求，致力于实现 SPAD-SoC 从”可用”至”好用”的跨越。
　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
宣布推出车规级 8 通道半桥驱动器 SC77708Q，可驱动多达 16 个外部 N 沟道 MOSFET，支持 24 位 SPI（串行外设接口）或 25kHz 三路 PWM 输入信号对系统进行配置及控制，实现 1mA 到 100mA 的自适应输出驱动电流。SC77708Q 符合 AEC Q-100 标准，开创性地将跛行模式应用到半桥驱动器，为座椅控制、电动尾门、中控锁、车窗升降、雨刮器等多种车身控制应用提供更强的安全保障。
　　与早期的类似传感器不同，新的HL-G2系列数字输出设备在每个单元中都包括以太网和RS-485接口，由用于将它们连接到主机系统的电缆选择。
FC906A也配备可靠的SDIO 3.0接口，集成2.4 GHz/ 5 GHz传输功率放大器以及低噪声放大器。在蓝牙方面，其符合蓝牙5.2标准，内置Class1功率放大器，可拓展传输范围。此外，FC906A支持扩展同步连接导向链路（eSCO），以提升语音质量，并采用自适应频率跳变（AFH）技术，限度地减少射频干扰。

德州仪器推出适用于250W电机驱动器的650V 三相 GaN IPM（智能电源模块）DRV7308，这是德州仪器首次推出采用氮化镓材料的智能电源模块。相较于硅基IGBT和MOSFET，该产品实现功耗降低50%。
罗姆　　如今，随着新一代Galaxy Z系列产品的惊艳亮相，三星再次展现了其在移动科技创新领域的领先地位。Galaxy Z系列不仅继承了三星在折叠屏技术上的深厚积累，更将实用性与灵活性完美结合，与AI技术深度融合，开创了一系列前所未有的移动体验，为Galaxy AI的发展翻开了崭新的一页。
HP5354.A 采用定制电陶瓷配方设计，在单个贴片中贴片解决方案中提供“堆叠贴片 L1-L5 性能”。它“具有 2.61dBi 的无源峰值增益，针对 GPS L1-L5、北斗 B1、伽利略 E1 和格洛纳斯 G1 操作进行了优化，可与下一代双频 GNSS 接收器配合使用”。
　　在Galaxy AI的加持下，三星Galaxy Z Fold6具备更加便捷、智能、高效的体验。例如，通过升级的端侧AI，三星Galaxy Z Fold6的通话实时翻译体验更自然、译文更精准。同时，基于此和折叠屏手机独特的产品形态，三星还进一步升级了同传功能体验，创新的双屏对话模式和聆听模式，更可助力用户消除语言障碍，让跨语言沟通更加轻松高效。