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　　V-COLOR针对 AMD WRX90 和WRX90系列推出的 DDR5 OC R-DIMM 提供丰富的性能和容量选择，范围从 128GB（16GBx8）至 768GB（96GBx8）的超大容量。以目前容量可选择 5600 至8000 的速度，用户能够轻松应对挑战性的任务。这个内存系列采用了创新的散热技术 RCD 和 PMIC，提升了冷却效能，确保即使在繁重的工作负载下也能实现的散热效果。
st半导体　　随着现代汽车对舒适性和安全性的要求越来越高，电机在汽车电子化系统中扮演的角色越来越重要。一般而言，单辆整车装载的车用电机数量大约在30-40个，在新能源汽车上这一数字甚至可以达到100-150个。未来，伴随着汽车电气化和智能化的发展，车用电机的装载量还有较为可观的增长空间。
对于现代汽车安全性和功能性至关重要的潜在应用，600 V CoolMOS? S7TA提供了优化的解决方案，例如断路器（包括高压电池隔离开关、直流（DC）和交流（AC）低频开关）以及高压电子保险丝（HV eFuses）等关键元件。

　　嵌入式硬件 SolidRun 宣布发布围绕 Hailo-15 神经处理单元 (NPU) 构建的模块系统 (SOM)，每秒可实现高达 20 TOPS算力，以支持边缘人工智能 ( 边缘人工智能）和设备上机器学习工作负载。
　　此外，顺应未来AI应用高算力趋势，酷冷推出X Mighty Platinum系列2000W高功率电源，通过英飞凌的电源组件并搭载PMBus接口与数字监测功能，可完全释放2000W的运算效能，峰值功率更可达到4000W，适用于级工作站或搭载更多显卡的设备，在满足AI时代下高算力所需功耗的同时，亦确保了高可靠、高质量的电源供应。
st半导体　　为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）扩展了旗下串行SRAM产品线，容量可达4 Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI）的速度提高到143 MHz。新产品线包括提供2 Mb和4 Mb两种不同容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。
　　近年来，随着5G的普及, MIMO(2)被引入的情况逐渐增多，以实现5G的高速、大容量通信、多连接和低延迟的特性，但由于它需要多台收发信号的设备，因此对无线通信电路模块化需求日益增加。由此导致用于元件的安装空间越来越小，因此，对小型元件的需求预计将进一步增加。
　　作为率先在业界提出分布式融合存储的厂商，浪潮信息聚焦行业客户的大模型落地需求与核心痛点，基于NVMe SSD研发出高效适配和优化的分布式全闪存储AS13000G7-N系列。硬件方面，AS13000G7-N是一款2U24盘位的全闪存储机型，搭载英特尔至强第四、第五代可扩展处理器，支持400 Gb 网卡，同时每盘位可配置15.36TB 大容量NVMe SSD。

　　新型适配器是为延长配接周期而设计的，确保能够承受大量使用并延长使用寿命。该系列适配器具有适应温度变化的能力，适用于各种环境，确保的能量传输。
st半导体　　继 400G ZR/ZR+ 数字相干光学（DCO）的成功应用后，客户正在寻求 800G 版本的 DCO 以提升传输速率至新的高度。超大规模数据中心正推动 400G/800G DCO 在数据中心互联（DCI）应用中的需求，同时电信运营商也开始采用 IP-over-DWDM 的概念，利用 DCO 模块服务于城域网和区域网络。QSFP-DD 和 OSFP 是受青睐且适用于 DCI 应用的紧凑型封装格式。
　　HL7603 DC-DC芯片在这一背景下显得尤为重要。它能够将电池电压升压至系统所需的电压水平，并且提供充足的高效电流，从而确保射频模块以及其他关键组件在较低的电池电压下也能持续稳定工作。这种提升不仅保证了手机的通信功能不受影响，并且整体上提升了手机的性能和用户体验。
利用其卓尔不凡的霍尔效应 3D 位置传感器产品系列的成员 HAL/HAR 3936*，进一步扩展了其的 Micronas 3D HAL? 位置传感器系列。HAL/HAR 3936 是磁位处理技术的重大进步，旨在满足现代汽车和工业应用场景的苛刻要求。