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　　PI5USB212 产品兼容 USB 2.0、OTG 2.0 和电池充电 (BC) 1.2，并支持 USB 功能，包括设备连接与高速检测，且电压容差可达 5.5V。它能自动检测未连接 USB 状态，将供电电流降至 0.7mA (典型值)，从而实现节能。供电电流也可以在 RSTN 停用管脚触发停用时，降至 13?A (典型值)。
realtek semiconductor corp.提升图像传感器性能，逐渐弥合主摄像头和副摄像头之间的差距，从而在全角度提供一致的摄影体验，这已成为行业发展的新方向。”三星电子执行副总裁兼系统LSI传感器业务团队技术官Jesuk Lee表示，”我们将持续通过集成三星技术进展的图像传感器产品阵容，不断打破技术壁垒，并推进新的行业标准。
CoolGaN? Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-C 充电器和适配器。

　　G3F产品系列针对高速开关性能进行了优化，与CCM TPPFC系统中的竞争对手相比，硬开关品质因数（FOMs）提高了40%。这将使下一代AI数据中心服务器电源（PSUs）的功率增加到10kW，每个机架的功率从30kW增加到100-120kW。
　　Coval的多级技术通过级联供应多个文丘里阶段的压缩空气，并结合它们各自的吸气流量，化压缩空气的能量利用。中间阀门逐步隔离每个阶段，以获得真空水平。这种技术能在低真空水平下生成重要的吸气流量。
realtek semiconductor corp.这种集成的一个显著优势是减少电机控制系统设计的元件数量，缩小印刷电路板（PCB）尺寸，并降低复杂性。该系列器件的支持资源包括开发板、参考设计、应用笔记和 Microchip 的场定向控制 （FOC）软件开发套件motorBench? Development Suite V2.45。
MediaTek凭借5G行业的领先地位和卓越的低功耗优势，将助力设备制造商抓住5G RedCap市场的巨大机遇。MediaTek T300拥有5G的高速、高可靠性和低延迟等优势特性，并能满足物联网设备对成本和功耗控制的严苛要求
1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。

FCS866R基于可靠的SDIO 3.0接口，可实现高速、低功耗的数据无线传输，并支持-20 °C ~ +70 °C的工作温度；FCE863R则采用可靠的PCIe 1.1接口以同样实现高速、低功耗的Wi-Fi无线传输，同时支持-20°C ~+70°C的工作温度。此外，为适应更多工业场景的应用，FCE863R新增子型号，支持-40°C ~+85°C的工作温度，进一步拓宽了模组的应用场景。
realtek semiconductor corp.　　EL3072 和 EL3074 模拟量输入端子模块具有相同的功能，分辨率为 16 位（之前为 12 位），可作为 10 V / 20 mA 通用输入。EL3072 具有 2 个可单独进行参数设置的输入，而 EL3074 则有 4 个。另一个新型号是 8 通道的高密度端子模块 EL3078。EL4072、EL4074 和 EL4078 模拟量输出端子模块具有更高的分辨率，通道数量也扩展到了 8 个。
型接近传感器—VCNL36828P，提高消费类电子应用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面发射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面贴装封装中集成光电二极管、专用集成电路（ASIC）、16位 ADC和智能双I2C从机地址。
新的封装选项提供了与 nRF7002 QFN 版本相同的功能，但基底面缩小了 60% 以上，使 WLCSP 成为下一代无线设备高效、尺寸受限设计的理想选择。