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  工业5.0注重智慧化、感测能力和高度自动化,代表着智慧工业领域的新一波革命,在这个背景下,工业自动化和物联网应用在多个领域对高精准、小型化传感器的需求不断增加。NuMicro M091系列32位高整合模拟微控制器,为提高模拟功能与数字控制的精准度,以小封装的尺寸整合了丰富的模拟周边,包含模拟数字转换器 (ADC) 以及数字模拟转换器 (DAC) 并且支持多达四组精密运算放大器 (OP Amp), 同时具有全方位的周边支持,成为光电、压力以及位置传感器领域的。
altera cyclone  所有产品均采用热增强封装倒装芯片技术,尺寸从 RPZ-0.5 的 2 x 2 x 2mm 到 RPZ-6.0 和 RPL-5.0 的 4 x 6 x 1.6 mm 不等。降额情况下,环境工作温度可达 125°C,效率高达 92%,具体取决于型号。
  效率约为 90%,基板上的工作温度范围为 -40°C 至 50 摄氏度左右,超过该温度时,在 +70°C 时会线性降额至 20W 左右。确切的数字取决于型号和散热器尺寸。
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  在应用模式下,HAL/HAR 3936 在测量磁铁的 360°角度范围、线性运动和抗杂散场 3D 位置信息方面表现出色。杂散场 稳健型 3D 模式,加上读取外部信号的潜能,让转向柱开关检测获得前所未有的稳健性。利用霍尔技术,该传感器可有效抑制外部杂散磁场,确保在任何情况下都能进行准确测量。
  英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示:“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据,而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理,因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加,以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”
altera cyclone  TB9M003FG将微控制器(Arm Cortex-M0)、闪存、电源控制功能和通信接口功能统一集成到栅极驱动IC中,控制和驱动3相直流无刷电机中的N通道功率MOSFET。这一集成将减小系统尺寸和组件数量,同时实现各种汽车电机应用中的先进和复杂电机控制。此外,新产品还搭载了东芝自研的矢量引擎,以及用于无感正弦波控制的硬件,既减轻了微控制器的负载,同时降低了软件代码大小。
  HIPS(高抗冲聚苯乙烯)可溶于柠檬烯,用于支撑 ABS,以及打印轻质物体。
  TPE(热塑性弹性体),比此例中的 TPU 更有弹性(肖氏硬度 83A),高度耐用且抗疲劳,工作温度范围为 -30 至 140°C。
  ASA 是一种抗紫外线的 ABS 替代品,其抗冲击性和耐热性几乎与 ABS 相同。适合户外应用,打印时气味较小。
NXP MCX A系列微控制器,该系列具有可扩展的器件选项、低功耗和智能外设,让设计人员可以选用更小封装,简化板卡设计。MCX A系列专为支持更多GPIO引脚以提供更多外部连接而设计,工作频率高达96MHz,集成度高,模拟性能优异且拥有各种外设,包括定时器和4Msps 12位ADC。定时器可以生成三组带有死区插入的互补脉宽调制 (PWM) 信号,4Msps 12位ADC则可以实现硬件窗口和平均功能。
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  纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业的低导通电阻(20至55mΩ)相结合,并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的快开关速度、效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
altera cyclone  RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数,因为它会影响传导功率损耗。然而,许多制造商只关注标称值,而忽略了一个事实,即随着设备工作温度的升高,RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上,从而造成相当大的传导损耗。
  使用这些器件可提高效率并节约成本。与传统的150mΩ GaN晶体管相比,CoolGaN Smart Sense产品在RDSs(on) (例如 350 mΩ)更高的情况下,能以更低的成本提供类似的效率和热性能。此外,这些器件与英飞凌的分立 CoolGaN 封装脚位兼容,无需进行布局返工和 PCB 重焊,进一步方便了使用英飞凌 GaN 器件的设计。
  DELO-DOT PN5 LV 中的驱动器可运行 10 亿周期以上,达到的坚固性标准。液体柱塞由陶瓷和硬质合金等耐用材料组成。由于采用了两部分结构,用户可以在出现磨损时(使用寿命结束时)更换柱塞本身和喷嘴。插销栓无需任何工具即可轻松拆卸。液体系统的清洁也可以轻松完成。

分类: 恩智浦芯片