xilinx v7

　　采用全新 Intel Xeon 6 处理器的 Supermicro X14 系统具有 E-core 和 P-core 版本之间的引脚兼容性。当前和未来的 Supermicro 系统的特点是，每个节点多达 576 个核心、高达 8800 MT/s 的 DDR5-6400 和 MCR DIMM、CXL 2.0、更广泛的 E1.S 和 E3.S 支持以及高达 400G 的网络支持。
xilinx v7随着碳化硅市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。与传统模拟解决方案相比，该解决方案通过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。
TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。

　　PGY-PCIeGen5-PA提供全套功能，包括2.5、5、8、16和32GT/s流量的同步协议分析，以及基于TS1、TS2、DLLP、TLP数据包内容和边带信号的if-then-else触发功能。 强大的软件可对PCIe和NVMe协议的捕获跟踪进行深入分析。 支持M.2、CEM、U.2、E1。借助S和SD Express插入器，分析仪可适应各种PCIe接口类型。
　　TCKE9系列产品具有电流限制和电压钳位功能，可保护供电电路中的线路免受过流和过压状况的影响，这是标准物理熔断器无法做到的。即使发生异常过流或过压，也能保持指定的电流和电压。
xilinx v7TITAN Haptics Inc. 的亚太销售主管Kelvin Lee介绍说：”从谷歌、OPPO、宝马集团等科技巨头到个人用户，我们收到的关于TacHammer Carlton的反馈都是极其积极的。有一个游戏玩家地表达了他的感受， ‘它感觉更先进。像霰弹枪，我可以感觉到后坐力和泵动作。心跳效果感觉就像我把手放在别人的心脏上。’这就是我们的技术所带来的兴奋之处——它不仅仅是提高性能，而且还创造了身临其境的感官体验。
「S-19990/9系列」是36V工作的升压型DC-DC控制器，因工作电压可确保从3V(业界(※1))开始，适宜构建备用电源的升压电路。可以选择400kHz振荡频率或2.2MHz振荡频率。
　　其硬件和软件的设计均具有适应性、通用性和可扩展性，带来标准而一致的用户体验，易于使用，功能强大，并拥有艾默生生命周期服务的支持。IPC 2010 外形紧凑，工作温度范围大于其他被动散热 IPC，功耗低至 4 瓦，坚固封装，几乎可以安装在所有位置。

　　此相机系列非常适合嵌入式或手持式设备应用，如生物识别自助服务终端、检眼镜检查、3D 扫描、自动光学检测等。其配置多样，包括板级模块和坚固铝壳的全封闭模块。产品背面或侧面带 USB 连接器，并采用旋进锁定机构。以上模块化选项具有强大的灵活性和耐用性，可无缝集成到狭小空间。
xilinx v7这些模块具有 2k VDC/1 min 功能型隔离（对于 REC10K 系列，则为 1.6k VDC/1 min），符合 IEC/EN/UL62368-1 标准，降额时可在 -40°C 至 +105°C 的环境温度下工作（ REC10K 降额时的工作温度范围为 -40°C 至 100°C）。使用规格书中指定的外部滤波器，传导 EMC 可以符合“A 级和 B 级”水平。
　　高通技术国际有限公司今日宣布推出两款全新的先进音频平台：第三代高通S3音频平台和第三代高通S5音频平台。作为各自系列中强大的平台，它们将提供S5和S3层级前所未有的音频体验。
推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。